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Z-TRONIII射頻導(dǎo)納料位計(jì)采用先進(jìn)的射頻導(dǎo)納技術(shù)，為低成本通用型點(diǎn)位控制儀表，適用于大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合，是射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)的一個(gè)重要組成部件，探頭又由測(cè)量極、保護(hù)極和絕緣層三部分組成。探桿形式可根據(jù)工況需求定制為桿式或纜式，長(zhǎng)度和材質(zhì)也均可根據(jù)特殊要求定制。連接過(guò)程部分有螺紋式和法蘭式供選擇，也可根據(jù)特殊需求定制。接線盒的外殼是由鋁合金材質(zhì)鑄成，厚度符合防爆等級(jí)要求，內(nèi)部裝有可見(jiàn)的電子模塊，接線和調(diào)試都很方便。整體的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，安裝使用方便，使用性能穩(wěn)定可靠，幾乎免維護(hù)這樣就有效地提高工作效率。　　作為一款常用的物位測(cè)量?jī)x表。它的具有體型小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、安裝調(diào)試方便、穩(wěn)定性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，通常被應(yīng)用于石油、化工、電力、水泥、鋼廠等部門(mén)。　　是一種從電容式物位技術(shù)發(fā)展起來(lái)的新型物位控制技術(shù)，是對(duì)電容式物位技術(shù)的升級(jí)，具有防掛料、更可靠、更準(zhǔn)確、適用性更廣的特點(diǎn)。要了解射頻導(dǎo)納的概念，我們需要先知道射頻和導(dǎo)納的含義。射頻即高頻無(wú)線電波譜，而導(dǎo)納的含義則為電學(xué)中阻抗的倒數(shù)，它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成，所以射頻導(dǎo)納可以理解為一種利用高頻（即射頻）電波來(lái)測(cè)量電子元件特性參數(shù)的儀表。　　射頻導(dǎo)納的原理　　射頻導(dǎo)納的原理是通過(guò)探頭感知其與儲(chǔ)罐體間電抗（容抗和阻抗）的變化實(shí)現(xiàn)物位測(cè)量和控制的。其內(nèi)部電子單元，由探頭測(cè)量極與空載罐體間的電抗共同構(gòu)成平衡電橋電路并產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定振蕩信號(hào)，當(dāng)被測(cè)介質(zhì)覆蓋探頭測(cè)量極時(shí)，會(huì)引起探頭測(cè)量極與罐體間的電抗變化導(dǎo)致電橋電路不平衡而停止產(chǎn)生振蕩信號(hào)，后級(jí)電路檢測(cè)到這一變化從而輸出報(bào)警信號(hào)。　　該振蕩信號(hào)作為射頻信號(hào)施加在探頭測(cè)量極的同時(shí)，還經(jīng)過(guò)1:1的電壓跟隨器后送往探頭的保護(hù)極，測(cè)量極與保護(hù)極的射頻信號(hào)具有等電位、同相位、同頻率又互相隔離。當(dāng)探頭有掛料時(shí)，測(cè)量極與保護(hù)極之間因?yàn)闆](méi)有電勢(shì)差而形成電氣隔離確保保護(hù)極的信號(hào)變化不影響檢測(cè)，使探頭測(cè)量極上電抗的變化只能由探頭測(cè)量極與罐體間的物料決定，從而使探頭上的掛料不會(huì)影響正常檢測(cè)。　　射頻導(dǎo)納物位控制器是使用射頻導(dǎo)納物位控制技術(shù)設(shè)計(jì)制作的一種新型物位測(cè)量?jī)x表。射頻導(dǎo)納測(cè)量技術(shù)，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是使用高頻電流測(cè)量系統(tǒng)導(dǎo)納的方法。點(diǎn)位射頻導(dǎo)納技術(shù)與電容技術(shù)不同，它采用了三端技術(shù)，使得測(cè)量參量多樣化。射頻導(dǎo)納技術(shù)由于引入了除電容以外的測(cè)量參量，尤其是電阻參量，使得儀表測(cè)量信號(hào)信噪比提高，從而大幅度提高了儀表的分辨力、準(zhǔn)確性和可靠性；測(cè)量參量的多樣性也有力地拓展了儀表的可靠應(yīng)用領(lǐng)域。使得產(chǎn)品防掛料（傳感器粘附之物料稱(chēng)為掛料）性能更好、工作更可靠、測(cè)量更準(zhǔn)確、適用性更廣的物位控制技術(shù)。　　該產(chǎn)品主要由傳感器模塊、電子模塊和其它一些連接器件構(gòu)成。傳感器單元主要包括三部分：測(cè)量探極、屏蔽極及接地端。被測(cè)物料的高度反映為測(cè)量探極與容器壁間導(dǎo)納的變化情況，當(dāng)物料到達(dá)開(kāi)關(guān)工作點(diǎn)時(shí)，電子單元作出反應(yīng)，驅(qū)動(dòng)繼電器動(dòng)作，輸出開(kāi)關(guān)信號(hào)。屏蔽極可防止由于電極上有掛料而產(chǎn)生誤動(dòng)作信號(hào)，僅當(dāng)物料真正達(dá)到設(shè)置點(diǎn)時(shí)，才輸出開(kāi)關(guān)控制信號(hào)。

AMETEK Z4-3002-101  Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-101  Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān) Z4-3002-103 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-106 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-301 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-325 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-327 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-701 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-753 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-754 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-755 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-756 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-757 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-758 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-760 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-761 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-762 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-763 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-764 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-766 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-767 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-768 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-769 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)Z4-3002-770 Z-tron IV射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)